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STW26NM60ND中文资料

STW26NM60ND图片

STW26NM60ND外观图

  • 大小:1353KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO247
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:FDmesh? II
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):175 毫欧 @ 10.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):54.6 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1817 pF @ 100 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):190W(Tc)
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-247-3
  • 封装/外壳:TO-247-3

STW26NM60ND供应商

更新时间:2023-02-01 03:19:38
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